|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2005, том 82, выпуск 7, страницы 509–512
(Mi jetpl1585)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 46 научных статьях (всего в 46 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN
В. К. Калевичa, Е. Л. Ивченкоa, М. М. Афанасьевa, А. Ю. Ширяевa, А. Ю. Егоровa, В. М. Устиновa, Б. Палb, Я. Масумотоb a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
b University of Tsukuba
Аннотация:
При комнатной температуре обнаружена спин-зависимая рекомбинация (СЗР) в твердых растворах $\mathrm{GaAs}_{1-x}\mathrm N_x$ ($x=2.1,\,2.7,\,3.4$%), проявляющаяся в более чем трехкратном уменьшении интенсивности краевой фотолюминесценции (ФЛ) при изменении круговой поляризации возбуждающего света на линейную или включении поперечного магнитного поля $\sim$300 гаусс. Межзонное поглощение циркулярно поляризованного света сопровождается поляризацией спинов электронов проводимости, которая достигает 35% с ростом накачки. Наблюдающиеся эффекты объяснены динамической поляризацией глубоких парамагнитных центров и спин-зависимым захватом электронов проводимости на эти центры. Из зависимости деполяризации краевой ФЛ в перпендикулярном магнитном поле (эффект Ханле) от интенсивности накачки найдено, что время спиновой релаксации электронов порядка 1 нс. Теоретически показано, что при наличии СЗР это время определяется медленной спиновой релаксацией локализованных электронов. Положительный знак $g$-фактора локализованных электронов экспериментально определен по направлению вращения их среднего спина в магнитном поле во всех трех исследованных кристаллах.
Поступила в редакцию: 08.08.2005 Исправленный вариант: 29.08.2005
Образец цитирования:
В. К. Калевич, Е. Л. Ивченко, М. М. Афанасьев, А. Ю. Ширяев, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, Б. Пал, Я. Масумото, “Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN”, Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005), 509–512; JETP Letters, 82:7 (2005), 455–458
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1585 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v82/i7/p509
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 432 | PDF полного текста: | 93 | Список литературы: | 52 |
|