Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2005, том 82, выпуск 7, страницы 509–512 (Mi jetpl1585)  

Эта публикация цитируется в 46 научных статьях (всего в 46 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN

В. К. Калевичa, Е. Л. Ивченкоa, М. М. Афанасьевa, А. Ю. Ширяевa, А. Ю. Егоровa, В. М. Устиновa, Б. Палb, Я. Масумотоb

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
b University of Tsukuba
Список литературы:
Аннотация: При комнатной температуре обнаружена спин-зависимая рекомбинация (СЗР) в твердых растворах $\mathrm{GaAs}_{1-x}\mathrm N_x$ ($x=2.1,\,2.7,\,3.4$%), проявляющаяся в более чем трехкратном уменьшении интенсивности краевой фотолюминесценции (ФЛ) при изменении круговой поляризации возбуждающего света на линейную или включении поперечного магнитного поля $\sim$300 гаусс. Межзонное поглощение циркулярно поляризованного света сопровождается поляризацией спинов электронов проводимости, которая достигает 35% с ростом накачки. Наблюдающиеся эффекты объяснены динамической поляризацией глубоких парамагнитных центров и спин-зависимым захватом электронов проводимости на эти центры. Из зависимости деполяризации краевой ФЛ в перпендикулярном магнитном поле (эффект Ханле) от интенсивности накачки найдено, что время спиновой релаксации электронов порядка 1 нс. Теоретически показано, что при наличии СЗР это время определяется медленной спиновой релаксацией локализованных электронов. Положительный знак $g$-фактора локализованных электронов экспериментально определен по направлению вращения их среднего спина в магнитном поле во всех трех исследованных кристаллах.
Поступила в редакцию: 08.08.2005
Исправленный вариант: 29.08.2005
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2005, Volume 82, Issue 7, Pages 455–458
DOI: https://doi.org/10.1134/1.2142877
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 71.20.Nr, 72.25.Fe, 78.55.Cr
Образец цитирования: В. К. Калевич, Е. Л. Ивченко, М. М. Афанасьев, А. Ю. Ширяев, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, Б. Пал, Я. Масумото, “Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN”, Письма в ЖЭТФ, 82:7 (2005), 509–512; JETP Letters, 82:7 (2005), 455–458
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KalIvcAfa05}
\by В.~К.~Калевич, Е.~Л.~Ивченко, М.~М.~Афанасьев, А.~Ю.~Ширяев, А.~Ю.~Егоров, В.~М.~Устинов, Б.~Пал, Я.~Масумото
\paper Спин-зависимая рекомбинация в твердых растворах GaAsN
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2005
\vol 82
\issue 7
\pages 509--512
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1585}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2005
\vol 82
\issue 7
\pages 455--458
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.2142877}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000233602800017}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-28644437396}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1585
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v82/i7/p509
  • Эта публикация цитируется в следующих 46 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:432
    PDF полного текста:93
    Список литературы:52
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024