|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2005, том 82, выпуск 4, страницы 228–233
(Mi jetpl1539)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 21 научных статьях (всего в 21 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Четность и резкое расширение резонансных уровней в трехбарьерных структурах
А. Б. Пашковский Государственное научно-производственное предприятие "Исток"
Аннотация:
Для несимметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами получены выражения для резонансной активной высокочастотной малосигнальной проводимости и ширин резонансных уровней. Обнаружено, что если четность уровней, образующих общий резонансный уровень, в каждой из двухбарьерных структур – разная, то при определенном выборе параметров трехбарьерной структуры ширина общего уровня, а соответственно и интегральная проводимость всей структуры могут возрастать во много раз. Соответственно во много раз уменьшается и время жизни электронов на этом уровне, а значит, легко могут быть реализованы условия когерентного транспорта – ухода электронов из структуры без столкновения с фононами.
Поступила в редакцию: 30.06.2005
Образец цитирования:
А. Б. Пашковский, “Четность и резкое расширение резонансных уровней в трехбарьерных структурах”, Письма в ЖЭТФ, 82:4 (2005), 228–233; JETP Letters, 82:4 (2005), 210–214
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1539 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v82/i4/p228
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 199 | PDF полного текста: | 62 | Список литературы: | 26 |
|