Экспериментальное наблюдение неравновесной конденсации электронно-дырочных пар в GaAs при комнатной температуре

В явном виде продемонстрирован эффект нестационарной конденсации электронно-дырочных пар в GaAs/AlGaAs $p\text{--}i\text{--}n$-гетероструктурах при комнатной температуре в режиме генерации импульсов сверхизлучения. Обнаружено, что на самых ранних стадиях развития импульса сверхизлучения происходит резкое уменьшение интенсивности спонтанного излучения из всей зоны проводимости и быстрый переход электронов на самое дно зоны. Конденсация электронов на дне зоны приводит к формированию неравновесного когерентного кооперативного состояния, распад которого наблюдался ранее в виде мощных фемтосекундных импульсов сверхизлучения.