|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 92, выпуск 12, страницы 872–876
(Mi jetpl1491)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Tunneling Hall Effect
P. S. Alekseev Ioffe Physico-Technical Institute, St. Petersburg, Russia
Аннотация:
Electron tunneling in a semiconductor heterostructure with a barrier in a weak magnetic field applied parallel to the barrier interfaces is analyzed theoretically. A novel mechanism of the Hall effect in this structure is suggested. It is shown that the Hall current in the vicinity of the wide enough barrier is determined by the orbital effect of the magnetic field on the electron motion under the barrier, rather than by the electron $\vec{\mathcal E}\times\vec{\mathcal H}$-drift and scattering in the conductive regions lying to the left and to the right of the barrier.
Поступила в редакцию: 04.10.2010 Исправленный вариант: 27.10.2010
Образец цитирования:
P. S. Alekseev, “Tunneling Hall Effect”, Письма в ЖЭТФ, 92:12 (2010), 872–876; JETP Letters, 92:12 (2010), 788–792
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1491 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v92/i12/p872
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 242 | PDF полного текста: | 70 | Список литературы: | 30 |
|