|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 92, выпуск 11, страницы 847–853
(Mi jetpl1487)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Изучение гетероструктуры SiO$_2$(Co)/GaAs методами поверхностного рассеяния синхротронного излучения
Н. А. Григорьеваa, А. А. Воробьевb, В. А. Уклеевa, Е. А. Дядькинаc, Л. В. Луцевd, А. И. Стогнийe, Н. Н. Новицкийe, С. В. Григорьевc a Санкт-Петербургский государственный университет
b Europien Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, France
c Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова РАН
d Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
e Научно-практический центр НАНБ по материаловедению, Минск, Республика Беларусь
Аннотация:
Гигантский инжекционный магниторезистивный эффект наблюдается в гранулированной Co/SiO$_2$ пленке на полупроводниковой GaAs подложке в узком интервале температур вблизи $T=300$ K. Согласно существующей теории природа эффекта связана со структурой и физическими свойствами интерфейсного слоя. Методами рефлектометрии и малоуглового рассеяния синхротронного излучения
в скользящей геометрии изучено пространственное распределение наночастиц кобальта в объеме гранулированной пленки Co/SiO$_{2}$ и на границе раздела гранулированная пленка/полупроводниковая подложка (ГП/ПП). Показано, что в объеме пленки характерное среднее расстояние между гранулами кобальта составляет $7.3$ нм. В то же время, среднее расстояние между гранулами на интерфейсе ГП/ПП составляет $32$ нм при их вертикальном размере порядка 7.5 нм. Экспериментальные результаты свидетельствуют о пониженной концентрации кобальта на интерфейсе и
о точечном характере контакта основного объема пленки Co/SiO$_{2}$ с подложкой GaAs через относительно разреженный слой ферромагнитных гранул кобальта.
Поступила в редакцию: 26.10.2010
Образец цитирования:
Н. А. Григорьева, А. А. Воробьев, В. А. Уклеев, Е. А. Дядькина, Л. В. Луцев, А. И. Стогний, Н. Н. Новицкий, С. В. Григорьев, “Изучение гетероструктуры SiO$_2$(Co)/GaAs методами поверхностного рассеяния синхротронного излучения”, Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010), 847–853; JETP Letters, 92:11 (2010), 767–773
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1487 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v92/i11/p847
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 303 | PDF полного текста: | 65 | Список литературы: | 41 |
|