Бозе-конденсация экситонных поляритонов в высокодобротных планарных микрорезонаторах c GaAs квантовыми ямами

Исследована конденсация экситонных поляритонов в планарных микрорезонаторах (МР) c GaAs/AlAs квантовыми ямами в активной области. Найдено, что увеличение времени жизни поляритонов до $\sim10 \div15$ пс при повышении добротности МР $Q$ выше 7000 позволяет реализовать бозе-конденсацию поляритонов с доминирующей (${}>90$%) долей фотонной компоненты. Конденсация происходит в термодинамически неравновесных условиях в латеральных ловушках с диаметром $\sim10$ мкм, образующихся благодаря крупномасштабным флуктуациям потенциала поляритонов. Фиолетовый сдвиг линии излучения поляритонов на пороге конденсации существенно превосходит величину энергии отталкивательного взаимодействия поляритонов в конденсате. Показано, что основной причиной сдвига является уменьшение силы осциллятора светлых экситонов в латеральных ловушках, вызванное локализацией в них фотовозбужденных долгоживущих темных экситонов.