Нулевое дифференциальное сопротивление в двойной квантовой яме при больших факторах заполнения

Исследовано дифференциальное сопротивление $r_{xx}$ в двойной GaAs квантовой яме с двумя заполненными подзонами размерного квантования при температурах $T=1.6$–$4.2$ K в магнитных полях $B<0.5$ Тл. Обнаружено, что при увеличении постоянного электрического тока $I_{dc}$ дифференциальное сопротивление $r_{xx}$ в максимумах магнето-межподзонных осцилляций сопротивления падает до нуля. Показано, что обнаруженное состояние с $r_{xx} \approx0$ возникает в условиях, когда $2R_c E_H/\hbar\omega_c<1/2$, где $R_c$ – циклотронный радиус электронов на уровне Ферми, $E_H$ – электрическое поле Холла, индуцированное током $I_{dc}$, а $\omega_c$ – циклотронная частота.