Резонансное микроволновое фотосопротивление в двухподзонной электронной системе при больших факторах заполнения

Исследовано микроволновое фотосопротивление в двойной GaAs квантовой яме с двумя заполненными подзонами размерного квантования $E_1$ и $E_2$ при температурах $T=1.6$–$4.2\,$K в магнитных полях $B<0.5\,$Тл. Установлено, что микроволновое фотосопротивление в такой системе имеет максимальную амплитуду в условиях, когда максимум магнето-межподзонных осцилляций с номером $k=(E_2-E_1)/\hbar \omega_c$ совпадает с максимумом или минимумом $\omega/\omega_c$-осцилляций, где $\omega$ – круговая частота микроволнового излучения, $\omega_c$ – циклотронная частота. Показано, что резонансное фотосопротивление, возникающее в максимумах магнето-межподзонных осцилляций с номером $k$, определяется условием: $\hbar\omega/(E_2-E_1)=(j \pm 0.2)/k$, где $k$ и $j$ – целые положительные числа.