|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 92, выпуск 3, страницы 208–211
(Mi jetpl1380)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Экранирование статического возмущения в системе дипольных экситонов
В. М. Ковалевab, А. В. Чапликcb a Новосибирский государственный технический университет
b Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН,
Новосибирск, Россия
c Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Теоретически исследуется экранирование локального электростатического возмущения непрямыми экситонами. Показано, что линейное экранирование носит диэлектрический характер, причем эффективная проницаемость может быть большой в случае сильного вырождения бозе-газа экситонов. Появление конденсата существенно меняет поведение потенциала возмущения на бесконечности, приводя к степенным асимптотикам с большими показателями степени. В нелинейном режиме экранированный потенциал насыщается при неограниченном возрастании начального возмущения.
Поступила в редакцию: 01.07.2010
Образец цитирования:
В. М. Ковалев, А. В. Чаплик, “Экранирование статического возмущения в системе дипольных экситонов”, Письма в ЖЭТФ, 92:3 (2010), 208–211; JETP Letters, 92:3 (2010), 185–188
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1380 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v92/i3/p208
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 288 | PDF полного текста: | 87 | Список литературы: | 66 |
|