Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 92, выпуск 3, страницы 208–211 (Mi jetpl1380)  

Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Экранирование статического возмущения в системе дипольных экситонов

В. М. Ковалевab, А. В. Чапликcb

a Новосибирский государственный технический университет
b Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, Новосибирск, Россия
c Новосибирский государственный университет
Список литературы:
Аннотация: Теоретически исследуется экранирование локального электростатического возмущения непрямыми экситонами. Показано, что линейное экранирование носит диэлектрический характер, причем эффективная проницаемость может быть большой в случае сильного вырождения бозе-газа экситонов. Появление конденсата существенно меняет поведение потенциала возмущения на бесконечности, приводя к степенным асимптотикам с большими показателями степени. В нелинейном режиме экранированный потенциал насыщается при неограниченном возрастании начального возмущения.
Поступила в редакцию: 01.07.2010
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, Volume 92, Issue 3, Pages 185–188
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364010150129
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. М. Ковалев, А. В. Чаплик, “Экранирование статического возмущения в системе дипольных экситонов”, Письма в ЖЭТФ, 92:3 (2010), 208–211; JETP Letters, 92:3 (2010), 185–188
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KovCha10}
\by В.~М.~Ковалев, А.~В.~Чаплик
\paper Экранирование статического возмущения в системе дипольных экситонов
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2010
\vol 92
\issue 3
\pages 208--211
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1380}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2010
\vol 92
\issue 3
\pages 185--188
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364010150129}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000282876600012}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-77958049944}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1380
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v92/i3/p208
  • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:288
    PDF полного текста:87
    Список литературы:66
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024