|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 92, выпуск 3, страницы 183–188
(Mi jetpl1376)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 33 научных статьях (всего в 33 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
О возможности существования глубоких подповерхностных состояний в топологических изоляторах: система PbBi$_4$Te$_7$
С. В. Еремеевab, Ю. М. Коротеевb, Е. В. Чулковcd a Томский государственный университет
b Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
c Departamento de Física de Materiales, UPV/EHU, 20080 San Sebastián, Spain
d Donostia International Physics Center (DIPC) and Centro Mixto CSIC–UPV/EHU
Аннотация:
Представлены результаты теоретического исследования объемной и поверхностной электронной структуры PbBi$_4$Te$_7$. Соединение PbBi$_4$Te$_7$ имеет слоистую структуру, содержащую чередующиеся в направлении гексагональной оси пяти- (Bi$_2$Te$_3$) и семислойные (PbBi$_2$Te$_4$) блоки. На основе анализа вызванной спин-орбитальным взаимодействием инвертированности краев запрещенной щели показано, что данное соединение является трехмерным топологическим изолятором. При этом топологические свойства соединения определяются, в основном, слоями PbBi$_2$Te$_4$. На поверхности PbBi$_4$Te$_7$(0001) в окрестности точки $\bar\Gamma$ формируется дираковский конус вне зависимости от типа слоя, формирующего поверхность (Bi$_2$Te$_3$ или PbBi$_2$Te$_4$). Показано, что локализация данного состояния может иметь не только поверхностный, но и глубоко подповерхностный характер.
Поступила в редакцию: 21.06.2010
Образец цитирования:
С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков, “О возможности существования глубоких подповерхностных состояний в топологических изоляторах: система PbBi$_4$Te$_7$”, Письма в ЖЭТФ, 92:3 (2010), 183–188; JETP Letters, 92:3 (2010), 161–165
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1376 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v92/i3/p183
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 435 | PDF полного текста: | 93 | Список литературы: | 51 |
|