Непрямые экситоны и двойные электронно-дырочные слои в широкой одиночной GaAs/AlGaAs квантовой яме в сильном электрическом поле

Исследованы спектры непрямой рекомбинации экситонов и двойных электронно-дырочных слоев в широкой одиночной квантовой яме в электрическом поле. Установлено, что в достаточно сильном электрическом поле в широкой яме происходит пространственное разделение электронов и дырок, что приводит к существенной перестройке спектра излучательной рекомбинации и к значительному увеличению времени жизни носителей заряда. Показано, что, меняя частоту фотовозбуждения и величину приложенного электрического поля, можно изменять полный заряд электронно-дырочной системы и переходить от нейтрального случая непрямых экситонов к случаю заряженных двойных электронно-дырочных слоев; измерена зависимость концентрации избыточных носителей заряда в яме от напряженности электрического поля. Для нейтральной экситонной системы обнаружено и изучено поведение возбужденных состояний непрямых тяжелодырочных и легкодырочных экситонов в сильном электрическом поле и показано, что электрополевые зависимости позволяют отличить возбужденные состояния непрямых экситонов с легкой дыркой от возбужденных состояний с тяжелой дыркой.