Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2006, том 83, выпуск 11, страницы 596–599 (Mi jetpl1321)  
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Резонансное комбинационное рассеяние света в наноструктурах с квантовыми точками InGaAs/AlAs

А. Г. Милехинa, А. И. Тороповa, А. К. Бакаровa, Ш. Шульцеb, Д. Р. Т. Цанb

a Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
b Institut für Physik, Technische Universität Chemnitz
PDF полного текста (560 kB) Список цитирования (12)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Экспериментально исследовано комбинационное рассеяние света оптическими фононами в наноструктурах $\mathrm{In_xGa_{1-x}As}$/AlAs с квантовыми точками состава $x=0.3\div1$ в условиях выходного резонанса. Обнаружены особенности, обусловленные рассеянием GaAs- и InAs- подобными оптическими фононами в квантовых точках, и определены частоты фононов в зависимости от состава точек. С увеличением энергии возбуждения наблюдается красный сдвиг частоты GaAs-подобного фонона в квантовых точках, что свидетельствует о комбинационном рассеянии света, селективном по размеру квантовых точек. В резонансных условиях наблюдалось многофононное рассеяние света вплоть до третьего порядка оптическими и интерфейсными фононами, включая обертоны фононов первого порядка материалов InGaAs и AlAs и их комбинации.
Поступила в редакцию: 24.04.2006
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2006, Volume 83, Issue 11, Pages 505–508
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364006110087
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 63.22.+m, 78.30.Fs, 78.67.Hc
Образец цитирования: А. Г. Милехин, А. И. Торопов, А. К. Бакаров, Ш. Шульце, Д. Р. Т. Цан, “Резонансное комбинационное рассеяние света в наноструктурах с квантовыми точками InGaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 83:11 (2006), 596–599; JETP Letters, 83:11 (2006), 505–508
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MilTorBak06}
\by А.~Г.~Милехин, А.~И.~Торопов, А.~К.~Бакаров, Ш.~Шульце, Д.~Р.~Т.~Цан
\paper Резонансное комбинационное рассеяние света в наноструктурах с квантовыми точками InGaAs/AlAs
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2006
\vol 83
\issue 11
\pages 596--599
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1321}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2006
\vol 83
\issue 11
\pages 505--508
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364006110087}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000239628900008}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-33747886269}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1321
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v83/i11/p596
    • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:336
    PDF полного текста:109
    Список литературы:47
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024