Спин-зависимая туннельная проводимость в пленках $\mathrm{TbCoFe}/\mathrm{Pr}_6\mathrm O_{11}/\mathrm{TbCoFe}$

Приведены результаты экспериментальных исследований туннельного магнитосопротивления (TMR) в пленках $\mathrm{TbCoFe}/\mathrm{Pr}_6\mathrm O_{11}/\mathrm{TbCoFe}$ при температуре 80 и 300 K. При переходе от состояния с намагниченностью слоев TbCoFe в одном направлении к состоянию с намагниченностью в противоположных направлениях величина сопротивления такой структуры увеличивается более чем в полтора раза при комнатной температуре и более чем в три раза при температуре 80 K. Величина TMR увеличивается при облучении области туннельного перехода излучением азотного лазера и при увеличении толщины барьерного слоя от 10 до 40 нм. Предполагается, что большое значение ТМР достигается за счет использования парамагнитного барьерного слоя $\mathrm{Pr}_6\mathrm O_{11}$.