Электродипольный механизм генерации электромагнитного излучения при спиновом транспорте в полупроводнике InSb

Представлены результаты исследований условий возникновения электромагнитного излучения при транспорте поляризованных по спину электронов в контактных структурах на основе полупроводника InSb и ферромагнитных материалов $\mathrm{HgCr_2Se_4}$ и $\mathrm{Co_2MnSb}$. Показано, что электромагнитное излучение из контактной структуры возникает только при наличии преимущественной поляризации потока электронов, протекающего из ферромагнетика в полупроводник InSb. Установлено, что интенсивность излучения зависит от направления внешнего магнитного поля относительно осей кристалла InSb и максимальна при тех направлениях магнитного поля, при которых вероятность электродипольных спиновых переходов между зеемановскими уровнями наибольшая.