Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 85, выпуск 11, страницы 684–688 (Mi jetpl1050)  
Эта публикация цитируется в 28 научных статьях (всего в 28 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Угловое распределение дифрагированного рентгеновского излучения при (111) каналировании электронов в Si: влияние зонной структуры энергетических уровней

О. В. Богданов, К. Б. Коротченко, Ю. Л. Пивоваров

Национальный исследовательский Томский политехнический университет
PDF полного текста (683 kB) Список цитирования (28)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Показано, что учет зонной структуры энергетических уровней каналированных электронов приводит к качественному изменению угловых распределений рентгеновского излучения под брэгговскими углами, что может быть полезным при экспериментальном обнаружении эффекта.
Поступила в редакцию: 12.04.2007
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2007, Volume 85, Issue 11, Pages 555–559
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364007110069
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 41.60.-m, 61.85.+p, 78.70.-g
Образец цитирования: О. В. Богданов, К. Б. Коротченко, Ю. Л. Пивоваров, “Угловое распределение дифрагированного рентгеновского излучения при (111) каналировании электронов в Si: влияние зонной структуры энергетических уровней”, Письма в ЖЭТФ, 85:11 (2007), 684–688; JETP Letters, 85:11 (2007), 555–559
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BogKorPiv07}
\by О.~В.~Богданов, К.~Б.~Коротченко, Ю.~Л.~Пивоваров
\paper Угловое распределение дифрагированного рентгеновского излучения при (111) каналировании электронов в Si: влияние зонной структуры энергетических уровней
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2007
\vol 85
\issue 11
\pages 684--688
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1050}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2007
\vol 85
\issue 11
\pages 555--559
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364007110069}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000248625000006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-34547662357}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1050
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v85/i11/p684
    • Эта публикация цитируется в следующих 28 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:247
    PDF полного текста:87
    Список литературы:47
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024