Микроволновое фотосопротивление в двойной квантовой яме при больших факторах заполнения

Исследовано влияние микроволнового излучения миллиметрового диапазона на электронный транспорт в двойной GaAs квантовой яме при температуре $4.2\text{\,К}$ в магнитных полях до $2\text{\,Тл}$. Показано, что в изучаемой двумерной электронной системе в области больших факторов заполнения возникают осцилляции сопротивления (проводимости), положение максимумов которых в магнитном поле определяется условием $\Delta_\mathrm{SAS}/\hbar=l\omega_\mathrm c$, где $\Delta_\mathrm{SAS}=(E_2-E_1)$ – расщепление подуровней размерного квантования в двойной квантовой яме, $\omega_\mathrm c$ – циклотронная частота, а $l$ – целое положительное число. Обнаружено, что в двойной квантовой яме микроволновое поле существенно модифицирует эти осцилляции, приводя к знакопеременной, изменяющейся с двумя периодами зависимости фотосопротивления от обратного магнитного поля.