Numerical research for the start control and final observation problem in model of the distribution of potentials in a crystalline semiconductor

Статья посвящена численному исследованию математической модели управления распределением потенциалов в кристаллическом полупроводнике. Данная модель основана на задаче стартового управления и финального наблюдения слабыми обобщенными решениями математической модели распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике. Данная модель относится к классу математических моделей, основанных на полулинейных уравнениях соболевского типа с p-коэрцитивным и s-монотонным операторами. Нами показано существование и единственность слабого обобщенного решения исследуемой модели с начальным условием Шоуолтера–Сидорова и найдены достаточные условия существования решения задачи стартового управления и финального наблюдения. Построен алгоритм численного метода нахождения приближенного решениями задачи стартового управления и финального наблюдения исследуемой задачи на основе методов декомпозиции и метода Галеркина. Приводятся вычислительные эксперименты.