|
Известия Кабардино-Балкарского научного центра РАН, 2017, выпуск 6-2, страницы 28–32
(Mi izkab219)
|
|
|
|
ИНФОРМАТИКА. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА. УПРАВЛЕНИЕ
Способ измерения элементного распределения
по глубине поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_2$
А. А. Бжеумиховa, З. Ч. Маргушевb, К. А. Бжеумиховb a Institute for Scientific Instruments GmbH,
12489, Germany, Berlin, Rudower Chaussee, 29/3
b Институт информатики и проблем регионального управления –
филиал ФГБНУ «Федеральный научный центр
«Кабардино-Балкарский научный центр Российской академии наук»,
360000, КБР, г. Нальчик, ул. И. Арманд, 37-а
Аннотация:
Приведены результаты исследования, демонстрирующие возможности по измерению
распределения элементов в фотовольтаических пленках Cu(In,Ga)Se$_2$ на основе комбинирования
рентгенофлуоресцентного анализа и метода “края ножа”. Достигнуто субмикронное разрешение
по глубине, которое определяется особенностями геометрии измерения, использования
поликапиллярной оптики для эффективной фокусировки излучения от рентгеновской трубки
мощностью 30 Вт в пятно размером 20-25 мкм, а также полнопольного детектора
рентгеновского излучения с пространственным разрешением 48 мкм. Преимуществом
предлагаемого подхода является неразрушающий характер, при этом точность измерения
толщины слоев Сu, Ga и Se на реальном образце была на уровне 12-14%.
Ключевые слова:
фотоэлектрические пленки, рентгенофлуоресцентный анализ, рентгеновская
капиллярная оптика, метод «края ножа».
Поступила в редакцию: 12.11.2017
Образец цитирования:
А. А. Бжеумихов, З. Ч. Маргушев, К. А. Бжеумихов, “Способ измерения элементного распределения
по глубине поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_2$”, Известия Кабардино-Балкарского научного центра РАН, 2017, № 6-2, 28–32
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/izkab219 https://www.mathnet.ru/rus/izkab/y2017/i62/p28
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 50 | PDF полного текста: | 27 | Список литературы: | 18 |
|