|
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, выпуск 3, страницы 133–137
(Mi ivpnz705)
|
|
|
|
Физика
Влияние облучения гамма-квантами на свойства p-n-переходов на основе GaAs
С. В. Булярский, М. С. Ермаков Ульяновский государственный университет, Ульяновск
Аннотация:
При облучении образцов на основе GaAs гамма-квантами с энергией 1,25 МэВ было выявлено, что в образцах с дозой 0,3 Мрад, происходит уменьшение количества дефектов. Для анализа экспериментальных данных применялась такая физическая величина, как приведенная скорость рекомбинации, которая обратна к времени жизни носителей заряда.
Ключевые слова:
дефект, гамма-квант, скорость рекомбинации, время жизни, носитель заряда.
Образец цитирования:
С. В. Булярский, М. С. Ермаков, “Влияние облучения гамма-квантами на свойства p-n-переходов на основе GaAs”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 3, 133–137
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ivpnz705 https://www.mathnet.ru/rus/ivpnz/y2009/i3/p133
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 23 | PDF полного текста: | 27 | Список литературы: | 11 |
|