|
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, выпуск 3, страницы 113–125
(Mi ivpnz703)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика
Моделирование радиационно-стимулированного источника тока на pin-структурах
Ю. С. Нагорновa, Е. С. Пчелинцеваa, Б. М. Костишкоa, Д. А. Корниловb, В. М. Радченкоc, В. Д. Рисованыйc a Ульяновский государственный университет, Ульяновск
b Ульяновский государственный университет (филиал в г. Димитровград)
c ОАО «ФГУП ГНЦ НИИ Атомных реакторов», Димитровград
Аннотация:
Проведено моделирование и исследование генерации тока под действием электронного облучения с энергиями электронов 5-40 кэВ на pin-диодах. Разработана модель батареи питания, которая учитывает следующие процессы: генерацию электронно-дырочных пар за счет ионизации атомов кремния, диффузию и дрейфовый перенос электронов в объеме ОПЗ, а также рекомбинацию. Сравнение экспериментальных данных и численных расчетов подтверждает достоверность модели при облучении электронами средних энергий. Кроме этого, проведены измерения вольтамперной характеристики pin-диодов при воздействии бета-источника на основе Ni-63 с активностью 20-40 мКи.
Ключевые слова:
генерация тока, радиационно-стимулированные процессы, электронное облучение, бета-источник.
Образец цитирования:
Ю. С. Нагорнов, Е. С. Пчелинцева, Б. М. Костишко, Д. А. Корнилов, В. М. Радченко, В. Д. Рисованый, “Моделирование радиационно-стимулированного источника тока на pin-структурах”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 3, 113–125
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ivpnz703 https://www.mathnet.ru/rus/ivpnz/y2009/i3/p113
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 10 | Список литературы: | 15 |
|