Способ увеличения плотности элементов смесителя с понижением частоты и влияние модификации материалов на технологический процесс

Актуальность и цели. В настоящее время одним из актуальных вопросов является увеличение быстродействия устройств твердотельной электроники (диоды, полевые и биполярные транзисторы…). Для увеличения быстродействия данных устройств представляет интерес поиск материалов с большими значениями подвижностей носителей заряда. Один из способов уменьшения размеров элементов интегральных схем является их формирование в тонкопленочных гетероструктурах. В данном случае возможно использование неоднородности (многослойности) гетероструктуры и необходима оптимизация легирования электронных материалов, а также развитие эпитаксиальной технологии с целью улучшения свойств данных материалов (включая анализ механических напряжений). Альтернативным способом уменьшения размеров элементов интегральных схем является использование лазерного и микроволнового типов отжига. Основной целью данной работы является поиск возможностей уменьшения размеров сформированных в многослойных структурах полевых транзисторов в составе смесителя с понижением частоты, а также увеличение их плотности. Сопутствующей целью данной работы является формирование аналитической методики анализа массопереноса, позволяющей учесть изменение параметров процессов одновременно в пространстве и во времени, а также нелинейность рассматриваемого процесса.
Материалы и методы. Предложена аналитическая методика анализа массопереноса, позволяющая учесть изменение параметров процессов одновременно в пространстве и во времени, а также нелинейность рассматриваемого процесса.
Результаты. Сформулированы условия для уменьшения размеров полевых транзисторов в составе смесителя с понижением частоты, а также увеличения их плотности. Предложена аналитическая методика анализа массопереноса, позволяющая учесть изменение параметров процессов одновременно в пространстве и во времени, а также нелинейность рассматриваемого процесса.
Выводы. Уменьшение размеров полевых транзисторов, а также увеличение их плотности происходит в многослойной структуре со специально подобранной конфигурацией при условии оптимизации отжига.