|
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2011, выпуск 3, страницы 140–150
(Mi ivpnz590)
|
|
|
|
Физика
Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p)
В. В. Трегулов, В. А. Степанов Рязанский государственный университет имени С. А. Есенина, Рязань
Аннотация:
Представлен метод измерения спектра энергетической плотности поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктур. Приведены результаты исследования поверхностных состояний в гетероструктуре CdS/Si(p), изготовленной методом гидрохимического осаждения.
Ключевые слова:
гетероструктура, фотоэлектрический преобразователь, глубокие уровни, релаксационная спектроскопия, рекомбинация, поверхностные состояния.
Образец цитирования:
В. В. Трегулов, В. А. Степанов, “Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p)”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2011, № 3, 140–150
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ivpnz590 https://www.mathnet.ru/rus/ivpnz/y2011/i3/p140
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 22 | Список литературы: | 18 |
|