|
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2012, выпуск 2, страницы 119–135
(Mi ivpnz496)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика
Влияние диэлектрической матрицы на туннельные вольт-амперные характеристики в квантовых точках в условиях внешнего электрического поля
В. Д. Кревчик, М. Б. Семенов, Р. В. Зайцев, С. Е. Козенко, М. А. Манухина Пензенский государственный университет, Пенза
Аннотация:
Рассматривается модель 1D-диссипативного туннелирования для структур из квантовых точек в системе совмещенного АСМ/СТМ в условиях внешнего электрического поля. Найдено, что влияние локальной моды матрицы среды термостата на вероятность 1D-диссипативного туннелирования приводит к появлению двух пиков в соответствующей полевой зависимости; один из которых для случая симметричного двухъямного осцилляторного потенциала оказывается неустойчивым, а второй (дополнительный) - устойчивым. Полученная теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной вольт-амперной характеристикой контакта АСМ зонда к поверхности квантовой точки из InAs.
Ключевые слова:
диссипативное туннелирование, квантовые точки, диэлектрическая матрица.
Образец цитирования:
В. Д. Кревчик, М. Б. Семенов, Р. В. Зайцев, С. Е. Козенко, М. А. Манухина, “Влияние диэлектрической матрицы на туннельные вольт-амперные характеристики в квантовых точках в условиях внешнего электрического поля”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2012, № 2, 119–135
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ivpnz496 https://www.mathnet.ru/rus/ivpnz/y2012/i2/p119
|
|