|
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2012, выпуск 3, страницы 124–132
(Mi ivpnz479)
|
|
|
|
Физика
Способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах CdA/Si(p) на основе анализа вольт-фарадных характеристик
В. В. Трегулов Рязанский государственный университет имени С. А. Есенина, Рязань
Аннотация:
Представлен способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах по частотной зависимости вольт-фарадных характеристик для случая, когда заряд поверхностных состояний зависит от приложенного напряжения постоянного смещения. Приведены результаты исследования гетероструктуры CdS/Si(p), изготовленной методом гидрохимического осаждения.
Ключевые слова:
гетероструктура, фотоэлектрический преобразователь, глубокие уровни, вольт-фарадные характеристики, поверхностные состояния.
Образец цитирования:
В. В. Трегулов, “Способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах CdA/Si(p) на основе анализа вольт-фарадных характеристик”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2012, № 3, 124–132
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ivpnz479 https://www.mathnet.ru/rus/ivpnz/y2012/i3/p124
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 20 | Список литературы: | 17 |
|