Диссипативное туннелирование и оптика низкоразмерных структур

Приведены результаты экспериментального исследования влияния вида обработки поверхности квантовых точек (КТ) из селенида кадмия на их фотолюминесценцию. Показано, что наибольшую интенсивность фотолюминесценции дают КТ с поверхностью, обработанной донорной электронной примесью. Теоретически изучена роль легирования КТ примесями. Показано, что интенсивность фотолюминесценции в этом случае может повышаться на порядок. Исследовано влияние двумерного диссипативного туннелирования на вероятность двухфотонной ионизации $D^-$-центра в системе двух взаимодействующих квантовых молекул. Выявлены эффекты $2D$-туннельных бифуркаций и квантовых биений для случая параллельного $2D$-туннелирования, которые могут наблюдаться в соответствующих полевых зависимостях вероятности двухфотонной ионизации.