|
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2014, выпуск 1, страницы 167–179
(Mi ivpnz371)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика
Подвижность электронов в квантовой проволоке с краевой дислокацией во внешнем магнитном поле
В. Д. Кревчик, В. Н. Калинин, Е. Н. Калинин Пензенский государственный университет, Пенза
Аннотация:
Актуальность и цели. Технология выращивания квантовых проволок может сопровождаться возникновением дефектов упаковки и краевых дислокаций. Последние играют существенную роль в рассеянии носителей заряда при достаточно низких температурах, а следовательно, оказывают значительное влияние на транспортные свойства квантовых проволок. Во внешнем продольном магнитном поле появляются новые возможности для управления подвижностью носителей заряда в квантовой проволоке, что важно для приложений в полупроводниковой наноэлектронике. Цель работы заключается в теоретическом исследовании влияния краевой дислокации на подвижность электронов в квантовой проволоке во внешнем продольном магнитном поле, а также в сравнении с влиянием других механизмов рассеяния. Материалы и методы. Кривые зависимости времени релаксации от кинетической энергии налетающего на краевую дислокацию электрона в квантовой проволоке при наличии внешнего магнитного поля построены для квантовой проволоки из InSb. При расчете времени релаксации использовалась модель Бонч-Бруевича и Когана и борновское приближение. Расчет подвижности выполнен для квантовой проволоки из GaAs. Результаты. Показано, что для зависимости времени релаксации от кинетической энергии налетающего на краевую дислокацию электрона характерны осцилляции, период которых в продольном магнитном поле уменьшается, а величина времени релаксации увеличивается вследствие гибридного квантования. Найдено, что рассмотренный механизм рассеяния может быть существенным в сравнении с рассеянием на LA-фононах и на случайных неровностях границы квантовой проволоки, при этом температурный интервал его эффективности определяется величиной вероятности заполнения акцепторных центров в дислокационной линии. Выводы. Зарядовое состояние дислокационной линии может существенно влиять на ширину температурного интервала, в котором доминирует рассеяние электронов на краевой дислокации.
Ключевые слова:
краевая дислокация, время релаксации, внешнее магнитное поле, квантовая проволока, подвижность электронов.
Образец цитирования:
В. Д. Кревчик, В. Н. Калинин, Е. Н. Калинин, “Подвижность электронов в квантовой проволоке с краевой дислокацией во внешнем магнитном поле”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2014, № 1, 167–179
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ivpnz371 https://www.mathnet.ru/rus/ivpnz/y2014/i1/p167
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 8 | Список литературы: | 9 |
|