|
НОВОЕ В ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКЕ
Шумы в лампе на поглощении, вызванные флуктуациями в электронном потоке
Д. И. Трубецков, А. А. Фунтов, Н. В. Чижмотря Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского, факультет нелинейных процессов
Аннотация:
В данной работе исследуются шумы в усилителе на поглощении - вакуумном СВЧ приборе, в котором усиление происходит благодаря сдвигу фаз между электронным потоком и переменными составляющими поля, возникающего благодаря присутствию поглощающих стенок. Следует отметить, что в лампе на поглощении, называемой также резистивным усилителем, отсутствует необходимость в замедляющей системе и что почти полностью отсутствует обратная связь между выходом и входом. В последнее время к нему вновь проявлено внимание, в частности из-за возможности использования метаматериалов, увеличивающих коэффициент усиления. В ранних работах на основе экспериментальных данных упоминалось, что усилитель на поглощении имеет довольно высокие шумы, однако теоретическая оценка проведена не была. Исследуется линейная теория устройства с бесконечно широким электронным потоком при учете только нарастающей волны. Получено выражение для коэффициента усиления и проведена оценка фактора шума в предположении, что лампа имеет резонаторное входное и выходное устройства, и что шумы вызваны некоррелированными флуктуациями тока и скорости в отсутствие минимума потенциала. В настоящей работе впервые проведена теоретическая оценка фактора шума усилителя на поглощении. Показано, что при рассмотренных параметрах коэффициент усиления может достигать более 20 dB при длине резистивной секции равной 30 cm, а фактор шума достигает 24 dB. При введённых в данной работе допущениях и при взятых для расчета типичных параметрах катода и резонаторов получен довольно большой фактор шума при достаточно высоком коэффициенте усиления.
Ключевые слова:
Резистивный усилитель, линейная теория, шумы в электронных потоках.
Поступила в редакцию: 28.06.2017
Образец цитирования:
Д. И. Трубецков, А. А. Фунтов, Н. В. Чижмотря, “Шумы в лампе на поглощении, вызванные флуктуациями в электронном потоке”, Известия вузов. ПНД, 25:4 (2017), 51–58
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ivp60 https://www.mathnet.ru/rus/ivp/v25/i4/p51
|
|