|
Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника
Особенности флуктуаций переноса заряда в дисперсных структурах на основе наночастиц анатаза вблизи порога протекания
Л. А. Кочкуровa, Д. В. Цыпинa, С. С. Волчковa, Д. А. Зимняковab a Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А
b Институт проблем точной механики и управления РАН
Аннотация:
Представлены результаты экспериментальных исследований флуктуаций эффективной омической проводимости систем межэлектродных проводящих мостиков на основе плотноупакованных наночастиц анатаза при длительном воздействии постоянного тока. Установлено, что при подходе к порогу протекания, обусловленному обеднением ансамбля свободных носителей заряда (электронов) в мостиках, происходят качественные изменения динамики флуктуаций падения напряжения на системах мостиков(в частности, существенное возрастание показателя Херста структурных функций флуктуаций падения напряжения, коррелирующее с резким спадом эффективной омической проводимости исследуемых структур). Для интерпретации наблюдаемых особенностей предложена качественная феноменологическая модель, рассматривающая влияние случайных последовательностей локальных актов блокирования и пробоя стохастических каналов проводимости в исследуемых структурах на деградацию эффективной омической проводимости структур.
Ключевые слова:
проводимость, наночастицы, межэлектродные мостики, порог протекания, показатель Херста, оксид титана, анатаз.
Поступила в редакцию: 08.05.2024 Принята в печать: 15.06.2024
Образец цитирования:
Л. А. Кочкуров, Д. В. Цыпин, С. С. Волчков, Д. А. Зимняков, “Особенности флуктуаций переноса заряда в дисперсных структурах на основе наночастиц анатаза вблизи порога протекания”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 24:3 (2024), 262–270
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/isuph528 https://www.mathnet.ru/rus/isuph/v24/i3/p262
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 15 | PDF полного текста: | 9 | Список литературы: | 13 |
|