Tamm resonances control in one-dimensional microwave photonic crystal for measuring parameters of heavily doped semiconductor layers

Исследована возможность управления фотонными таммовскими резонансами в одномерном СВЧ фотонном кристалле с диэлектрическим заполнением с помощью изменения толщины слоя фотонного кристалла, граничащего с сильнолегированным слоем полупроводниковой GaAs структуры. Управляемые фотонные таммовские резонансы в микроволновом диапазоне частот использованы для измерения удельной электропроводности сильнолегированных полупроводниковых слоёв. Показано, что для достижения высокой чувствительности таммовского резонанса к изменению удельной электропроводности сильнолегированного слоя, необходима определенная перестройка частоты таммовского резонанса, величина которой определяется величиной удельной электропроводности сильнолегированного слоя. Возможность наблюдения плазменного резонанса в инфракрасном диапазоне позволило определить концентрацию и подвижность свободных носителей заряда в сильнолегированном слое полупроводниковой GaAs структуры.