Оптическое поглощение и комбинационное рассеяние света в легированных кристаллах TlGaSe$_2$ и TlInS$_2$

Исследовались кристаллы полупроводников-сегнетоэлектриков TlGaSe$_2$ и TlInS$_2$, легированные примесями Ag, Al, B, Er, Fe, Nd, Tb в концентрациях от 0.1 до 3%, с целью установления особенностей влияния легирования данными примесями на оптическое поглощение и комбинационное рассеяние света в исследуемых кристаллах. Измерения поглощения проводились путем измерения спектров пропускания и отражения света с последующим расчетом ширины запрещенной зоны по методике Тауца. Спектры комбинационного рассеяния света измерялись с помощью конфокального спектрометра. В качестве источника возбуждения использовались твердотельные лазеры, работающие на длинах волн 473 и 532 нм. Размер светового пятна на образце составлял 1 мкм. Обратнорассеянный свет детектировался глубоко охлаждаемой кремниевой ПЗС-матрицей с разрешением не ниже 1 $см^{-1}$. Измерения спектров пропускания и отражения образцов TlGaSe$_2$ и TlInS$_2$ и расчет ширины запрещенной зоны Еg показали, что при легировании примесями в обозначенных количествах сохраняются значения Еg, известные из литературных данных для нелегированных материалов. Эти результаты подтверждаются данными комбинационного рассеяния в диапазоне температур 21.5 - 300 К.