|
Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика, 2013, том 13, выпуск 1, страницы 7–9
(Mi isuph152)
|
|
|
|
Физика
Вольтфарадные характеристики МДП-структур на основе сегнетоэлектрических плёнок
М. С. Афанасьев, А. Ю. Митягин, Г. В. Чучева Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук
Аннотация:
Созданы на кремниевых подложках n и р-типа гетероструктуры металл–сегнетоэлектрик–полупроводник (МСЭП). Реализованы в МСЭП-структуре электронно-управляемые конденсаторные элементы. Измеренные при напряжении смещения $\pm$ 50 В параметры конденсаторных элементов показали, что ход вольтфарадных характеристик конденсаторных элементов на кремнии р-типа зеркально отражает ход вольтфарадных характеристик на кремнии n-типа.
Ключевые слова:
сегнетоэлектрик, структура металл-сегнетоэлектрик–полупроводник, кремний, вольтфарадная характеристика.
Образец цитирования:
М. С. Афанасьев, А. Ю. Митягин, Г. В. Чучева, “Вольтфарадные характеристики МДП-структур на основе сегнетоэлектрических плёнок”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 13:1 (2013), 7–9
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/isuph152 https://www.mathnet.ru/rus/isuph/v13/i1/p7
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 18 | Список литературы: | 16 |
|