|
Твердотельная электроника, микро- и наноэлектроника
Влияние подсветки на вольт-амперные характеристики структур на основе InGaN/GaN при обратном смещении
Д. Я. Вострецов, Л. Н. Вострецова, Т. С. Смирнова, Д. П. Дмитриев Ульяновский государственный университет, Россия, 432017, г. Ульяновск, ул. Л. Толстого, д. 42
Аннотация:
Рассмотрена обратная ветвь вольт-амперной характеристики структуры с квантовыми ямами при подсветке с точки зрения обобщенной модели рекомбинации. Показано, что в процессе формирования вольт-амперных характеристик при обратном смещении и наличии внешней подсветки участвуют три процесса: оптическая генерация, рекомбинация и туннелирование. При подсветке структуры таким же светодиодом в квантовых ямах ведущую роль играет процесс оптической генерации. В результате получено выражение, описывающее ток через образец в этом случае.
Ключевые слова:
квантовая яма, токоперенос, обобщенная модель рекомбинации, фотогенерация, туннелирование.
Поступила в редакцию: 16.08.2021
Образец цитирования:
Д. Я. Вострецов, Л. Н. Вострецова, Т. С. Смирнова, Д. П. Дмитриев, “Влияние подсветки на вольт-амперные характеристики структур на основе InGaN/GaN при обратном смещении”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 21:4 (2021), 372–380
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/isuph14 https://www.mathnet.ru/rus/isuph/v21/i4/p372
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 11 | Список литературы: | 13 |
|