Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика, 2012, том 12, выпуск 2, страницы 8–11
DOI: https://doi.org/10.18500/1817-3020-2012-12-2-8-11 (Mi isuph137) 		 
Физика

Определение параметров планарных конденсаторов на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов

Г. В. Чучеваa, М. С. Афанасьевa, И. А. Анисимовa, А. И. Георгиеваa, С. А. Левашовa, А. Э. Набиевb

a Фрязинский филиал ФГБУН Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку
PDF полного текста (509 kB)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.18500/1817-3020-2012-12-2-8-11
Аннотация: Проведенные экспериментальные исследования позволяют заключить, что в структуре Ni/Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_3$/MgO с линейными размерами 150 $\times$ 150 мм можно реализовать планарный конденсаторный элемент, вариативный по диапазону ёмкости от 0.02 до 3.0 пФ, в котором увеличение ёмкости достигается путем увеличения количества электродных секций.
Ключевые слова: тонкопленочные сегнетоэлектрики, планарные конденсаторы микромасштабного размера, микрополосковые линии, фазовращатели, СВЧ устройства.
Финансовая поддержка
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (госконтракт № 16.513.11.3072), РФФИ (проект № 12-07-00662-а), Программы фундаментальных исследований Президиума РАН.
Тип публикации: Статья
УДК: 537.9
Образец цитирования: Г. В. Чучева, М. С. Афанасьев, И. А. Анисимов, А. И. Георгиева, С. А. Левашов, А. Э. Набиев, “Определение параметров планарных конденсаторов на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 12:2 (2012), 8–11
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ChuAfaAni12}
\by Г.~В.~Чучева, М.~С.~Афанасьев, И.~А.~Анисимов, А.~И.~Георгиева, С.~А.~Левашов, А.~Э.~Набиев
\paper Определение параметров планарных конденсаторов на основе тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов
\jour Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика
\yr 2012
\vol 12
\issue 2
\pages 8--11
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/isuph137}
\crossref{https://doi.org/10.18500/1817-3020-2012-12-2-8-11}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/isuph137
  • https://www.mathnet.ru/rus/isuph/v12/i2/p8
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:41
    Список литературы:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024