Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика, 2021, том 21, выпуск 4, страницы 355–362
DOI: https://doi.org/10.18500/1817-3020-2021-21-4-355-362
(Mi isuph12)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Радиофизика, электроника, акустика

Электрические свойства композиции на основе полидиметилсилоксана, наполненного оксидом галлия

В. Ю. Чухланов, О. Г. Селиванов, Н. В. Чухланова

Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых, Россия, 600000, г. Владимир, ул. Горького, д. 87
Список литературы:
Аннотация: Исследовано влияние введенного в полидиметилсилоксановый эластомер $\beta$-оксида галлия на электрические свойства композиционного материала. По изменению удельной объемной электрической проводимости от содержания оксида галлия экспериментально установлена зависимость электрического сопротивления композиции и определена точка перколяции. Точка перколяции составила 21%, что несколько выше теоретического значения, рассчитанного по методу Монте-Карло и составляющего 16%. Определена температурная зависимость электрического сопротивления композиции от содержания в связующем полупроводникового наполнителя. Волноводным методом на лабораторном стенде на основе прецизионной измерительной линии Р1-20 исследованы диэлектрические характеристики материала, такие как тангенс угла диэлектрических потерь и диэлектрическая проницаемость. Расчеты диэлектрических характеристик проводились по изменению смещения узлов стоячих волн в волноводе при помещении в него диэлектрика с использованием программы MathCAD. Проведенный эксперимент по определению тангенса угла диэлектрических потерь во всем X-диапазоне от 8 до 12 ГГц показал, что введение оксида галлия приводит к возрастанию диэлектрических потерь в композиции. Диэлектрические потери в композиции возникают с возрастанием частоты. Диэлектрические характеристики в значительной степени ухудшаются при содержании наполнителя свыше 20% (по объему). Изучено влияние наполнителя на радиопрозрачные и радиопоглощающие свойства полимерной композиции в сантиметровом СВЧ-диапазоне. Результаты работы могут найти прикладное применение в радиоэлектронной промышленности для герметизации электронных компонентов и в антенно-фидерной технике сантиметрового радиодиапазона.
Ключевые слова: метод Монте-Карло, оксид галлия, СВЧ-излучение, измерительная линия, полисилоксаны, коэффициент отражения, удельное сопротивление, диэлектрические потери, диэлектрическая проницаемость.
Поступила в редакцию: 08.06.2021
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315:616.95.96
Образец цитирования: В. Ю. Чухланов, О. Г. Селиванов, Н. В. Чухланова, “Электрические свойства композиции на основе полидиметилсилоксана, наполненного оксидом галлия”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 21:4 (2021), 355–362
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ChuSelChu21}
\by В.~Ю.~Чухланов, О.~Г.~Селиванов, Н.~В.~Чухланова
\paper Электрические свойства композиции на основе полидиметилсилоксана, наполненного оксидом галлия
\jour Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика
\yr 2021
\vol 21
\issue 4
\pages 355--362
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/isuph12}
\crossref{https://doi.org/10.18500/1817-3020-2021-21-4-355-362}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/isuph12
  • https://www.mathnet.ru/rus/isuph/v21/i4/p355
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024