Исследование градиента распределения дефектов в монокристаллических пластинах кремния и арсенида галлия с помощью рентгеновской топографии

В данной работе исследовалась зависимость величины диффузионного рассеяния от плотности структурных несовершенств в монокристаллическом кремнии и арсениде галлия, что позволяет оценить градиент концентрации структурных несовершенств. Данный градиент возникает в связи с особенностями технологии роста таких кристаллов (методом Чохральского), а именно – неоднородностью фронта кристаллизации, которая приводит к образованию областей с высокой плотностью дислокаций. Одним из важнейших технологических требований является однородность таких кристаллов с целью наиболее эффективного их дальнейшего использования в электронике. Предлагаемая методика исследования позволяет оперативно выявить увеличение градиента, чтобы затем скорректировать технологические параметры роста во избежание ухудшения качества продукции.