Определение ориентации монокристалла с помощью анализа геометрии отпечатка индентора

Работа посвящена разработке методики по определению кристаллографической ориентации монокристалла. В качестве объекта исследования использовались монокристаллы арсенида галлия, выращенные методом Чохральского в кристаллографическом направлении <100>. Описаны классические подходы к определению индексов плоскостей с помощью селективного травления (по формам ямок травления) и рентгеноструктурного анализа. Были приведены результаты экспериментальных исследований монокристаллов ориентации <100>, направленные на детектирование плоскостей семейства {110}, являющихся плоскостями базового среза. Изучены процессы образования микротрещин, возникающих в ходе стандартных испытаний на определение микротвердости и показан закономерный характер их распространения по поверхности.