Международный научно-исследовательский журнал
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Междунар. науч.-исслед. журн.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Международный научно-исследовательский журнал, 2019, , выпуск 12(90), страницы 26–29
DOI: https://doi.org/10.23670/IRJ.2019.90.12.006 (Mi irj560) 		 
ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

Особенности кристаллографической структуры буферных слоев CeO$_2$ на $r$-Al$_2$O$_3$ полученных методом импульсного лазерного осаждения

А. П. Носовa, С. С. Дубининb, В. И. Осотовb

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
PDF полного текста (444 kB)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.23670/IRJ.2019.90.12.006
Аннотация: В работе представлены результаты структурных исследований буферных слоев CeO$_2$ выращенных методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках из $r$-Al$_2$O$_3$(1102) при температуре подожки 750$^{\circ}$С. Экспериментально показано, что при изменении давления кислорода в процессе роста, в условиях сохранения неизменными остальных параметров роста, возможно получение буферных слоев с разной кристаллографической ориентацией: при давлении кислорода 0,002 мбар буферные слои имеют ориентацию (111), а при давлении кислорода 0,2 мбар–(002). Полученные результаты могут представлять интерес для получения эпитаксиальных пленок и наногетероструктур со слоями из высокотемпературных сверхпроводников и допированных манганитов на монокристаллических подложках $r$-Al$_2$O$_3$ с буферными слоями из CeO$_2$.
Ключевые слова: тонкие пленки, импульсное лазерное осаждение, CeO$_2$, $r$-Al$_2$O$_3$.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации АААА-А18-118020290104-2
Работа выполнена в рамках государственного задания Минобрнауки России (тема «Спин», № АААА-А18-118020290104-2).
Англоязычная версия:

DOI: https://doi.org/10.23670/IRJ.2019.90.12.006
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Носов, С. С. Дубинин, В. И. Осотов, “Особенности кристаллографической структуры буферных слоев CeO$_2$ на $r$-Al$_2$O$_3$ полученных методом импульсного лазерного осаждения”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2019, № 12(90), 26–29
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NosDubOso19}
\by А.~П.~Носов, С.~С.~Дубинин, В.~И.~Осотов
\paper Особенности кристаллографической структуры буферных слоев CeO$_2$ на $r$-Al$_2$O$_3$ полученных методом импульсного лазерного осаждения
\jour Междунар. науч.-исслед. журн.
\yr 2019
\issue 12(90)
\pages 26--29
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/irj560}
\crossref{https://doi.org/10.23670/IRJ.2019.90.12.006}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/irj560
  • https://www.mathnet.ru/rus/irj/v90/i12/p26
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Международный научно-исследовательский журнал
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025