Международный научно-исследовательский журнал
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Междунар. науч.-исслед. журн.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Международный научно-исследовательский журнал, 2018, , выпуск 12(78), страницы 57–62
DOI: https://doi.org/10.23670/IRJ.2018.78.12.010
(Mi irj295)
 

ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

Исследование температурной зависимости полупроводниковых фоторезисторов

Т. П. Юртаева, А. В. Рудин, Д. А. Сабурова, В. Ю. Серсков, О. М. Денисова, А. Е. Журина

Пензенский государственный университет
Список литературы:
Аннотация: Приведено описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов и результаты экспериментальных измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости, в зависимости от температуры и частоты световых волн облучения. Установлено, что температурная зависимость времени жизни неосновных носителей фототока в исследованных полупроводниковых фоторезисторах при освещении светом зеленого спектра носит линейный характер. С увеличением температуры величина времени жизни, с точностью до статистического распределения измеряемой величины, монотонно убывает. Зависимость времени жизни неосновных носителей тока от частоты световых волн носит почти линейный характер. С увеличением длины волны облучаемого света время жизни неосновных носителей фототока монотонно увеличивается.
Ключевые слова: фототок, фоторезистор, время жизни, неосновные носители тока, длина волны, частота, температура, рекомбинация.
Англоязычная версия:

DOI: https://doi.org/10.23670/IRJ.2018.78.12.010
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. П. Юртаева, А. В. Рудин, Д. А. Сабурова, В. Ю. Серсков, О. М. Денисова, А. Е. Журина, “Исследование температурной зависимости полупроводниковых фоторезисторов”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2018, № 12(78), 57–62
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YurRudSab18}
\by Т.~П.~Юртаева, А.~В.~Рудин, Д.~А.~Сабурова, В.~Ю.~Серсков, О.~М.~Денисова, А.~Е.~Журина
\paper Исследование температурной зависимости полупроводниковых фоторезисторов
\jour Междунар. науч.-исслед. журн.
\yr 2018
\issue 12(78)
\pages 57--62
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/irj295}
\crossref{https://doi.org/10.23670/IRJ.2018.78.12.010}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/irj295
  • https://www.mathnet.ru/rus/irj/v78/i12/p57
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Международный научно-исследовательский журнал
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024