|
ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ
Исследование температурной зависимости полупроводниковых фоторезисторов
Т. П. Юртаева, А. В. Рудин, Д. А. Сабурова, В. Ю. Серсков, О. М. Денисова, А. Е. Журина Пензенский государственный университет
Аннотация:
Приведено описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов и результаты экспериментальных измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости, в зависимости от температуры и частоты световых волн облучения. Установлено, что температурная зависимость времени жизни неосновных носителей фототока в исследованных полупроводниковых фоторезисторах при освещении светом зеленого спектра носит линейный характер. С увеличением температуры величина времени жизни, с точностью до статистического распределения измеряемой величины, монотонно убывает. Зависимость времени жизни неосновных носителей тока от частоты световых волн носит почти линейный характер. С увеличением длины волны облучаемого света время жизни неосновных носителей фототока монотонно увеличивается.
Ключевые слова:
фототок, фоторезистор, время жизни, неосновные носители тока, длина волны, частота, температура, рекомбинация.
Образец цитирования:
Т. П. Юртаева, А. В. Рудин, Д. А. Сабурова, В. Ю. Серсков, О. М. Денисова, А. Е. Журина, “Исследование температурной зависимости полупроводниковых фоторезисторов”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2018, № 12(78), 57–62
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/irj295 https://www.mathnet.ru/rus/irj/v78/i12/p57
|
|