Моделирование ориентационных эффектов в кристалле кремния при энергиях в сотни ГэВ

Приведены расчёты спектров интенсивности гамма излучения электронов с энергиями, превышающими сотни ГэВ, в ориентированном кристалле кремния. Анализ основан на компьютерном моделировании с учётом когерентного и некогерентного вкладов в излучение, а также многократного рассеяния и демпинга поперечной энергии. Учитывались квантовые эффекты, возникающие при излучении жёстких фотонов. Показано наличие эффекта сильного поля, а также отсутствие аддитивности вкладов когерентной и некогерентной частей в интенсивность излучения. Установлено, что в крайне жёсткой части спектра вклад некогерентного излучения может быть преобладающим, также как и в мягкой части, однако в основной части спектра когерентное излучение может превышать некогерентную часть на два порядка.