Токовая спектроскопия дефектных состояний в стеклообразной системе As-Se

Представлены результаты исследования изотермической релаксации темнового тока в тонких слоях стеклообразной системы $\mathrm{As}$-$\mathrm{Se}$. Проведен расчет емкости контакта $C_c$, которая характеризуется степенной дисперсией и выявляет экспоненциальную зависимость от температуры с энергией активации $E_c\sim 1.3$ эВ. Оценка толщины слоя, соответствующего емкости контакта и напряженности электрического поля в приконтактной области дает значения для состава $\mathrm{As_2Se_3}$ $d_k = 1.24\cdot10^{-7}$ м и $Е_k = 8.06\cdot10^3$ В/см соответственно. Вид ВАХ сэндвич-структур Al-ХСП–Al указывает на влияние контактных явлений на поляризационные процессы, и на существование барьера типа Шоттки, высота которого составляет $(0.30\dots0.32)$ эВ для образцов $\mathrm{As_2Se_3}$ ТИ и $(0.35\dots0.38)$ эВ для образцов $\mathrm{As_2Se_3}$ ВЧ.