|
Математическая модель радиационного нагрева изделий микроэлектроники
Ю. А. Волков, К. К. Иноземцева, М. Б. Марков, И. А. Тараканов
Аннотация:
Рассмотрен радиационный нагрев полупроводникового кристалла. Построена модель передачи энергии кристаллу избыточными носителями заряда, образующимися при рассеянии ионизирующего излучения. Вычислено распределение энергии, теряемой падающим излучением в кристалле, между электронами проводимости и фононами кристаллической решетки.
Ключевые слова:
ионизирующее излучение, носитель заряда, фонон.
Образец цитирования:
Ю. А. Волков, К. К. Иноземцева, М. Б. Марков, И. А. Тараканов, “Математическая модель радиационного нагрева изделий микроэлектроники”, Препринты ИПМ им. М. В. Келдыша, 2018, 099, 12 с.
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ipmp2459 https://www.mathnet.ru/rus/ipmp/y2018/p99
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 161 | PDF полного текста: | 53 | Список литературы: | 21 |
|