|
О корректности математических моделей диффузии, обусловленной остро сфокусированным электронным зондом в однородном полупроводниковом материале
М. А. Степовичa, Д. В. Туртинb, Е. В. Серегинаc a Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского
b Российский экономический университет им. Г. В. Плеханова, г. Москва
c Калужский филиал МГТУ им. Н. Э. Баумана
Аннотация:
Проведено сравнительное исследование качественных свойств двумерной и трехмерной математических моделей диффузии частиц (неравновесных неосновных носителей заряда, экситонов), генерируемых остро сфокусированным электронным зондом в однородном полупроводниковом материале. Показано, что рассматриваемые математические модели являются математически корректными и могут быть применены для оценки электрофизических параметров однородных полупроводниковых мишеней по результатам экспериментальных измерений.
Ключевые слова:
математическая модель, дифференциальное уравнение, частная производная, задача Коши, электронный зонд, полупроводник, корректность, единственность, непрерывная зависимость от данных, идентификация.
Образец цитирования:
М. А. Степович, Д. В. Туртин, Е. В. Серегина, “О корректности математических моделей диффузии, обусловленной остро сфокусированным электронным зондом в однородном полупроводниковом материале”, Материалы Воронежской весенней математической школы
«Современные методы теории краевых задач. Понтрягинские чтения–XXX». Воронеж, 3–9 мая 2019 г. Часть 4, Итоги науки и техн. Соврем. мат. и ее прил. Темат. обз., 193, ВИНИТИ РАН, М., 2021, 122–129
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/into806 https://www.mathnet.ru/rus/into/v193/p122
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 153 | PDF полного текста: | 82 | Список литературы: | 31 |
|