Униполярная проводимость кристаллов SrTiO$_{3}$ при светоиндуцированном падении сопротивления

Представлены результаты экспериментального исследования униполярных (диодных) вольт-амперных характеристик (ВАХ) локальных областей высокоомных кристаллов SrTiO$_{3}$, испытавших светоиндуцированное падение сопротивления. Подобное поведение объясняется влиянием на проводимость облученного участка барьера Шоттки одного из контактов. Измерения прямой ветви ВАХ позволили определить величину коэффициента идеальности барьера и оценить его высоту для ряда областей. Особенности поведения обратной ветви ВАХ указывают на реализацию в кристаллах SrTiO$_{3}$ с проводимостью $p$-типа чисто электронного механизма переключения сопротивления в отличие от моделей, базирующихся на электрохимических процессах, в частности миграции кислородных вакансий.