Гексагональные двумерные слои соединений $A_{N}B_{8-N}$ на полупроводниках

С использованием параболической модели электронного спектра подложки и низкоэнергетической аппроксимации закона дисперсии для двумерных гексагональных соединений $A_{N}B_{8-N}$ исследована зависимость плотности состояний эпитаксиального слоя от величины запрещенной зоны субстрата и ширины щели графеноподобного соединения (ГПС) в свободном состоянии, их взаиморасположения и безразмерной константы связи слой–подложка $C$. Показано, что при превышении константой $C$ определенных критических значений плотность состояний эпитаксиального слоя испытывает качественные изменения. Рассматривались как плоские, так и измятые эпитаксиальные слои. Приведены оценки перераспределения заряда при трансформации плотности состояний ГПС.