|
Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 6, страницы 1058–1064
(Mi ftt9942)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводники
О роли вторичной экстинкции при измерении интегральной интенсивности рентгенодифракционных пиков и определении толщины нарушенных эпитаксиальных слоев
Р. Н. Кютт Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Измерены интегральные интенсивности рентгенодифракционных отражений для серии эпитаксиальных слоев AIII-нитридов (GaN, AlN, AlGaN), выращенных на разных подложках (сапфир, SiC) и имеющих разную степень структурного совершенства. Показано, что, несмотря на большую плотность дислокаций и значительное уширение дифракционных пиков, полученные значения не описываются кинематической теорией дифракции и свидетельствуют о существовании экстинкции. Результаты анализируются на основе моделей экстинкции Дарвина и Захариазена. Путем использования двух порядков отражения как в брэгговской геометрии (0002 и 0004), так и в лауэвской (10$\bar1$0) и 11$\bar2$0) определены значения коэффициента вторичной экстинкции и толщина эпитаксиальных слоев. Показано, что вторичная экстинкция тем больше, чем меньше уширение дифракционных пиков и, следовательно, плотность дислокаций. Для слоев с регулярной системой прорастающих дислокаций коэффициент вторичной экстинкции из Лауэ-отражений значительно больше, чем из брэгговских отражений.
Поступила в редакцию: 12.08.2015 Исправленный вариант: 15.12.2015
Образец цитирования:
Р. Н. Кютт, “О роли вторичной экстинкции при измерении интегральной интенсивности рентгенодифракционных пиков и определении толщины нарушенных эпитаксиальных слоев”, Физика твердого тела, 58:6 (2016), 1058–1064; Phys. Solid State, 58:6 (2016), 1090–1097
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9942 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i6/p1058
|
|