Антисегнетоэлектрические пленки дейтерированного бетаинфосфата

Тонкие пленки частично дейтерированного бетаинфосфата выращены методом испарения на подложках Al$_{2}$O$_{3}$(110) и NdGaO$_{3}$(001) с предварительно нанесенной на них встречно-штыревой системой электродов. Пленки обладают поликристаллической блочной структурой с характерными размерами блоков порядка 0.1–1.5 mm. Степень дейтерирования пленок $D$ составляет 20–50%. В полученных структурах при температуре антисегнетоэлектрического фазового перехода $T_{c}^{\operatorname{afe}}$ = 100–114 K наблюдается аномалия емкости $C$, которая не сопровождается изменением тангенса угла диэлектрических потерь $\operatorname{tg}\delta$. Сильносигнальный диэлектрический отклик характеризуется появлением сегнетоэлектрической нелинейности при $T>T^{\operatorname{afe}}_{c}$, которая трансформируется в антисегнетоэлектрическую при $T<T^{\operatorname{afe}}_{c}$. При дальнейшем понижении температуры в антисегнетоэлектрической фазе появляются двойные петли диэлектрического гистерезиса. Описание диэлектрических свойств пленок проводится в рамках термодинамической модели типа модели Ландау с учетом биквадратичной связи $\xi P^{2}\eta^{2}$ между полярным $P$ и неполярным $\eta$ параметрами порядка с положительным коэффициентом $\xi$. Построена фазовая диаграмма $E$–$T$.