|
Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 8, страницы 1558–1567
(Mi ftt9890)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
Механические свойства, физика прочности и пластичность
Начальные стадии релаксации напряжений несоответствия путем образования призматических дислокационных петель в композитных наноструктурах GaN–Ga$_{2}$O$_{3}$
М. Ю. Гуткинabc, А. М. Смирновc a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Рассмотрены начальные стадии релаксации напряжений несоответствия путем зарождения прямоугольных призматических дислокационных петель (ПДП) в модельных композитных наноструктурах, представляющих собой сферические или цилиндрические оболочки GaN, выращенные на сплошных или полых ядрах $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, а также плоские тонкие пленки GaN на подложках $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$. Исследованы три характерные конфигурации ПДП: квадратные петли и петли, вытянутые вдоль и поперек границы раздела GaN/Ga$_{2}$O$_{3}$. При этом изучалось зарождение ПДП от границы раздела в оболочку (пленку) GaN, со свободной поверхности в оболочку (пленку) GaN и от границы раздела в ядро (подложку) $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$. Показано, что при наименьшей известной оценке решеточного несоответствия (2.6%) в некоторых из рассмотренных наноструктур не могут зародиться никакие ПДП. Если же зарождение ПДП возможно, то во всех рассмотренных наноструктурах энергетически выгоднее случай, когда ПДП вытянуты вдоль границ GaN/Ga$_{2}$O$_{3}$, причем предпочтительнее их зарождение со свободной поверхности GaN. Определены наноструктуры GaN/Ga$_{2}$O$_{3}$, наиболее и наименее устойчивые к образованию ПДП. Наиболее устойчивой к зарождению петель наноструктурой оказалась плоская двухслойная пластина GaN/Ga$_{2}$O$_{3}$, что объясняется действием альтернативного механизма релаксации напряжений несоответствия за счет изгиба пластины. Наименее устойчивой наноструктурой оказалась плоская трехслойная пластина GaN/Ga$_{2}$O$_{3}$/GaN, в которой пленки GaN имеют одинаковую толщину и отсутствует изгиб пластины как целого. Для всех исследованных наноструктур и трех известных оценок решеточного несоответствия (2.6, 4.7 и 10.1%) выполнены расчеты критических толщин оболочки (пленки) GaN, которые необходимо превысить при выращивании этих оболочек (пленок), чтобы избежать образования в них ПДП.
Поступила в редакцию: 26.01.2016
Образец цитирования:
М. Ю. Гуткин, А. М. Смирнов, “Начальные стадии релаксации напряжений несоответствия путем образования призматических дислокационных петель в композитных наноструктурах GaN–Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика твердого тела, 58:8 (2016), 1558–1567; Phys. Solid State, 58:8 (2016), 1611–1621
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9890 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i8/p1558
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 14 |
|