Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 8, страницы 1558–1567 (Mi ftt9890)  

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Механические свойства, физика прочности и пластичность

Начальные стадии релаксации напряжений несоответствия путем образования призматических дислокационных петель в композитных наноструктурах GaN–Ga$_{2}$O$_{3}$

М. Ю. Гуткинabc, А. М. Смирновc

a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация: Рассмотрены начальные стадии релаксации напряжений несоответствия путем зарождения прямоугольных призматических дислокационных петель (ПДП) в модельных композитных наноструктурах, представляющих собой сферические или цилиндрические оболочки GaN, выращенные на сплошных или полых ядрах $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, а также плоские тонкие пленки GaN на подложках $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$. Исследованы три характерные конфигурации ПДП: квадратные петли и петли, вытянутые вдоль и поперек границы раздела GaN/Ga$_{2}$O$_{3}$. При этом изучалось зарождение ПДП от границы раздела в оболочку (пленку) GaN, со свободной поверхности в оболочку (пленку) GaN и от границы раздела в ядро (подложку) $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$. Показано, что при наименьшей известной оценке решеточного несоответствия (2.6%) в некоторых из рассмотренных наноструктур не могут зародиться никакие ПДП. Если же зарождение ПДП возможно, то во всех рассмотренных наноструктурах энергетически выгоднее случай, когда ПДП вытянуты вдоль границ GaN/Ga$_{2}$O$_{3}$, причем предпочтительнее их зарождение со свободной поверхности GaN. Определены наноструктуры GaN/Ga$_{2}$O$_{3}$, наиболее и наименее устойчивые к образованию ПДП. Наиболее устойчивой к зарождению петель наноструктурой оказалась плоская двухслойная пластина GaN/Ga$_{2}$O$_{3}$, что объясняется действием альтернативного механизма релаксации напряжений несоответствия за счет изгиба пластины. Наименее устойчивой наноструктурой оказалась плоская трехслойная пластина GaN/Ga$_{2}$O$_{3}$/GaN, в которой пленки GaN имеют одинаковую толщину и отсутствует изгиб пластины как целого. Для всех исследованных наноструктур и трех известных оценок решеточного несоответствия (2.6, 4.7 и 10.1%) выполнены расчеты критических толщин оболочки (пленки) GaN, которые необходимо превысить при выращивании этих оболочек (пленок), чтобы избежать образования в них ПДП.
Поступила в редакцию: 26.01.2016
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 8, Pages 1611–1621
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416080138
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Ю. Гуткин, А. М. Смирнов, “Начальные стадии релаксации напряжений несоответствия путем образования призматических дислокационных петель в композитных наноструктурах GaN–Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика твердого тела, 58:8 (2016), 1558–1567; Phys. Solid State, 58:8 (2016), 1611–1621
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GutSmi16}
\by М.~Ю.~Гуткин, А.~М.~Смирнов
\paper Начальные стадии релаксации напряжений несоответствия путем образования призматических дислокационных петель в композитных наноструктурах GaN--Ga$_{2}$O$_{3}$
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 8
\pages 1558--1567
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9890}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368716}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 8
\pages 1611--1621
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416080138}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9890
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i8/p1558
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024