Электронная структура зоны проводимости пограничной области сверхтонких пленок замещенных перилен-дикарбоксимидов и поверхности оксида германия

Приведены результаты исследования электронной структуры зоны проводимости и пограничного потенциального барьера в процессе формирования интерфейсов сверхтонких пленок диоктил-замещенного перилен-дикарбоксимида (PTCDI-С$_{8}$) и дифенил-замещенного перилен-дикарбоксимида (PTCDI-Ph) с поверхностью окисленного германия. Экспериментальные результаты получены методом регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка низкоэнергетических электронов (very low energy electron diffraction, VLEED) в режиме спектроскопии полного тока (СПТ) в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше $E_{\operatorname{F}}$. Расположение максимумов тонкой структуры спектров полного тока (ТССПТ) пленок PTCDI-С$_{8}$ и PTCDI-Ph существенно различается в энергетическом диапазоне от 9 до 20 eV выше $E_{\operatorname{F}}$, что следует связывать с различием заместителей в выбранных молекулах, диоктил- и дифенил- соответственно. Вместе с этим расположение низкоэнергетических максимумов ТССПТ при энергии 6–7 eV выше $E_{\operatorname{F}}$ для случаев пленок PTCDI-С$_{8}$ и PTCDI-Ph практически совпадает. Сделано предположение, что эти максимумы обусловлены электронными состояниями периленового остова исследованных молекул. Проведен анализ процесса формирования пограничных потенциальных барьеров пленок PTCDI-С$_{8}$ и PTCDI-Ph с поверхностью окисленного германия, и обнаружено, что значения работы выхода поверхности, $E_{\operatorname{vac}}$–$E_{\operatorname{F}}$, мало отличаются от 4.6 $\pm$ 0.1 eV во всем диапазоне толщин органических покрытий от 0 до 6 nm.