Влияние распределения энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb на спонтанное перемагничивание тонких пленок GaMnSb

Измерены температурные $m(T)$ и временны́е m(t) зависимости магнитного момента тонких пленок GaMnSb, содержащих кластеры MnSb. Зависимости $m(t)$ спрямляются в полулогарифмических координатах $m(\ln t)$. Исследованы температурные зависимости магнитной вязкости $S(T)$, соответствующей угловому коэффициенту прямых $m(\ln t)$. Обнаружено, что характер зависимостей $S(T)$ определяется логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb. Установлено, что вид зависимостей $m(T)$, измеренных после охлаждения пленок в нулевом магнитном поле (ZFC) и магнитном поле $H$ = 10 kOe (FC), также определяется логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb.