Трансформация точечных дефектов в диоксиде кремния в процессе отжига

Ранее авторами было показано, что отжиг диоксида кремния в бескислородной среде приводит к образованию кластеров кремния вблизи поверхности. Механизм формирования кластеров кремния таким способом изучен недостаточно, однако установлено, что скорость образования нанокластеров и их размер зависят от содержания точечных дефектов в диоксиде кремния и содержания примесей, например гидроксильных групп. В продолжение этих исследований изучено изменение содержания точечных дефектов в пленках диоксида кремния в процессе отжига. Для оценки изменения содержания точечных дефектов до и после отжига предложена новая методика. Предложена модель трансформации точечных дефектов в диоксиде кремния в нанокластеры кремния в результате высокотемпературного отжига.